Dina 1976, Zumsteg jeung sajabana. ngagunakeun métode hidrotermal pikeun tumuwuh rubidium titanyl fosfat (RbTiOPO₄, disebut salaku RTP) kristal. Kristal RTP mangrupa sistem ortorombik, mmGrup 2 titik, P_na21 grup spasi, boga kaunggulan komprehensif ngeunaan koefisien elektro-optik badag, bangbarung ruksakna lampu tinggi, konduktivitas low, rentang transmisi lega, non-deliquescent, leungitna sisipan low, sarta bisa dipaké pikeun digawé frékuénsi pengulangan tinggi (nepi ka 100). kHz), jsb. Jeung moal aya tanda abu dina irradiation laser kuat. Dina taun anyar, éta geus jadi bahan populér pikeun Nyiapkeun elektro-optik Q-switch, utamana cocog pikeun sistem laser laju pengulangan tinggi..

Bahan baku tina RTP terurai nalika aranjeunna dilebur, sarta teu bisa dipelak ku métode ngalembereh narik konvensional. Biasana, fluks dianggo pikeun ngirangan titik lebur. Alatan tambahan jumlah badag fluks dina bahan baku, éta’s pisan tangguh tumuwuh RTP kalawan badag-ukuran jeung kualitas luhur. Taun 1990 Wang Jiyang sareng anu sanésna nganggo metode fluks swalayan pikeun kéngingkeun kristal tunggal RTP anu teu warnaan, lengkep sareng seragam tina 15 mm×44 mm×34 mm, sarta ngalaksanakeun ulikan sistematis ngeunaan kinerja na. Dina 1992 Oseledchikjeung sajabana. ngagunakeun metode fluks swalayan anu sami pikeun tumuwuh kristal RTP kalayan ukuran 30 mm×40 mm×60 mm sarta bangbarung karuksakan laser tinggi. Taun 2002 Kannan jeung sajabana. dipaké jumlah leutik MoO₃ (0,002 mol%) salaku fluks dina metoda top-seed pikeun tumuwuh kristal RTP kualitas luhur kalayan ukuran kira-kira 20 mm. Taun 2010 Roth sareng Tseitlin nganggo [100] sareng [010] bibit arah, masing-masing, pikeun tumuwuh RTP ukuran ageung nganggo metode top-seed.

Dibandingkeun sareng kristal KTP anu metode persiapan sareng sipat elektro-optik sami, résistansi kristal RTP langkung ageung 2 dugi ka 3 orde (10).⁸ Ω·cm), jadi kristal RTP bisa dipaké salaku aplikasi EO Q-switching tanpa masalah karuksakan electrolytic. Dina 2008 Shaldinjeung sajabana. ngagunakeun metode top-seed pikeun tumuwuh kristal RTP domain tunggal kalayan résistivitas kira-kira 0,5×10¹² Ω·cm, nu mangpaat pisan pikeun EO Q-switch kalawan aperture jelas gedé. Dina 2015 Zhou Haitaojeung sajabana. ngalaporkeun yén kristal RTP kalayan panjang sumbu a leuwih gede ti 20 mm dipelak ku metode hidrotermal, sareng résistivitasna 10¹¹~10¹² Ω·cm. Kusabab kristal RTP mangrupakeun kristal biaxial, éta béda ti kristal LN na DKDP kristal lamun dipaké salaku saklar EO Q-. Hiji RTP dina pasangan kudu diputer 90°dina arah cahaya pikeun ngimbangan birefringence alam. Desain ieu teu ngan merlukeun uniformity optik tinggi tina kristal sorangan, tapi ogé merlukeun panjang dua kristal janten sacaket mungkin, pikeun acquire babandingan kapunahan luhur Q-switch.

Salaku unggulan EO Q-switching bahan kalawan frékuénsi luhur-pengulangan, RTP kristals tunduk kana watesan ukuran nu teu mungkin keur badag aperture jelas (aperture maksimum produk komérsial ngan 6 mm). Ku alatan éta, persiapan kristal RTP kalawan ukuran badag sarta kualitas luhur kitu ogé cocog téhnik tina pasangan RTP masih peryogi jumlah badag karya panalungtikan.